+86-15376866078

Описание продукта: Трифторид бора-11B Английское название: Boron-11B trifluoride Химическая формула: 11BF3 Номер CAS: 20654-88-0 Внешний вид: Бесцветный газ Упаковка: Стальной баллон Газообразные соединения бора-11, такие как трифторид бора (11BF3), могут придавать кремниевым материалам ...
Трифторид бора-11B
Английское название: Boron-11B trifluoride
Химическая формула: 11BF3
Номер CAS: 20654-88-0
Внешний вид: Бесцветный газ
Упаковка: Стальной баллон
Газообразные соединения бора-11, такие как трифторид бора (11BF3), могут придавать кремниевым материалам (материалам подложки пластин) полупроводниковые и другие оптоэлектронные свойства посредством таких ключевых процессов, как эпитаксиальное выращивание, ионная имплантация, легирование, травление, очистка и формирование маскирующих пленок. Бор определяет производительность, интеграцию и выход годных интегральных схем и полупроводниковых материалов и известен как «кровь» производства полупроводниковых интегральных схем.
(I) Передовое производство полупроводников
При производстве микросхем с технологическими нормами менее 3 нм трифторид бора-11 является незаменимым источником легирующей примеси p-типа.
Ионная имплантация: Высокоэнергетическая ионная имплантация позволяет прецизионно внедрять атомы бора в кремниевые материалы для формирования областей истока, стока и кармана транзисторов. Это обеспечивает равномерное легирование более 100 миллионов элементов на квадратный микрометр в архитектуре GAA с нормами 3 нм, с контролируемым отклонением порогового напряжения в пределах ±5 мВ.
Плазменное травление: Используется в качестве травильного газа при изготовлении структур конденсаторов с глубокими канавками, обеспечивая стабильную скорость травления 50–100 нм/мин и шероховатость боковой стенки ≤1 нм, что делает его особенно подходящим для изготовления структур с высоким соотношением сторон в микросхемах памяти DRAM.
Управление эпитаксиальным ростом: Введение следовых количеств трифторида бора-11 в процесс роста эпитаксиальных слоев SiGe позволяет регулировать ширину запрещенной зоны материала, повышая частоту отсечки гетеропереходных биполярных транзисторов (HBT) до более чем 300 ГГц.
(II) Дисплеи и оптическая связь
Производство OLED/ЖК-дисплеев: При нанесении тонких пленок оксида индия-олова (ITO), легированного бором, трифторид бора-11 может снизить поверхностное сопротивление пленки на 20%, одновременно увеличивая пропускание видимого света более чем до 95%, что значительно улучшает энергопотребление и яркость дисплеев.
Заготовки оптического волокна: Добавляемый в качестве легирующей примеси к сердечнику оптических волокон, он позволяет точно регулировать профиль показателя преломления оптического волокна, снижая потери при передаче до менее 0,15 дБ/км, увеличивая дальность связи и улучшая стабильность сигнала.
(III) Авиакосмическая промышленность и новая энергетика
Радиационно-стойкие чипы: В чипах, используемых в особых условиях, таких как спутниковая навигация и атомные электростанции, легирование трифторидом бора-11 позволяет устройствам сохранять нормальную работу при дозе облучения 100 крад, в то время как обычные чипы выходят из строя при дозе 20 крад.
Высокоэнергетические топливные присадки: В качестве присадки к ракетному топливу он может повысить эффективность сгорания более чем на 15%, одновременно снижая коррозионную активность продуктов сгорания и продлевая срок службы двигателя.
(IV) Высокоэффективный катализ
В тонкой химии высокочистый трифторид бора-11 может использоваться в качестве суперкислотного катализатора в реакциях крекинга тяжёлой нефти, увеличивая выход лёгких нефтепродуктов более чем до 85% и продлевая срок службы катализатора за один проход в три раза. Его комплексы с эфирами демонстрируют превосходную стереоселективность в синтезе фармацевтических промежуточных продуктов, достигая выхода асимметрического синтеза до 92%.